大连理工大学黄辉教授团队研发了无漏电流“纳米线桥接生长技术”，解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题，制备出高可靠性(8个月电阻变化率<0.8%)、低功耗(可室温工作)及高灵敏度(NO2检测限0.5ppb)的GaN纳米线气体传感器，该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等，实验结果发表在国际纳米领域顶级期刊“Nano Letters” 。
据介绍，黄辉团队首次研究了纳米线桥接生长中的寄生沉积效应，发明了一种结合气流遮挡效应与表面钝化效应的桥接生长方法，解决了寄生沉积问题；并首次实现了“无漏电流”的GaN桥接纳米线，在此基础上研制出高稳定性、低功耗以及高灵敏度的集成纳米线气体传感器。
值得一提的是，GaN材料是第三代半导体，具有优异的稳定性(耐高温、抗氧化、耐酸碱腐蚀)和生物兼容性，适用于严酷环境下的应力应变以及液体和气体样品的检测(实验证明氢氟酸腐蚀48小时未对GaN纳米线产生影响)，应用领域非常广泛。该技术将推动传感芯片的发展。