据外媒报道，东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中，该芯片将命名为BiCS-5。
据介绍，芯片将实现TLC，而不是更新的QLC。这可能是因为NAND闪存制造商仍然对QLC芯片的低产量有担心。该芯片的数据密度为512 Gb，新的128层芯片的容量比96层芯片多33%，可以在2020到2021年实现商业化生产。
据悉，新芯片每单位信道的写入性能从66 MB / s增加到132 MB / s。另外，该芯片还采用了CuA（阵列电路），这是一种设计创新，节省了15%的芯片尺寸。
【版权声明】凡本站未注明来源为"中国科学网"的所有作品，均转载、编译或摘编自其它媒体，转载、编译或摘编的目的在于传递更多信息，并不代表本站及其子站赞同其观点和对其真实性负责。其他媒体、网站或个人转载使用时必须保留本站注明的文章来源，并自负法律责任。 中国科学网对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。
【特别提醒】如您不希望作品出现在本站，可联系我们要求撤下您的作品。邮箱 biz@minimouse.com.cn
关于我们 | 网站地图 | 网站留言 | 广告服务 | 联系我们 biz@minimouse.com.cn
版权所有 中国科学网www.minimouse.com.cn