据媒体报道，中国自研PCIe(NVMe)固态硬盘主控芯片性能指标已获得实质性技术突破，从实测性能看已经超过国外同类PCIe主控性能指标，主控性能爆棚。据了解2019年1月美国CES展会期间，该国产PCIe固态硬盘主控芯片将随国际知名SSD品牌厂商同台展出，并正式对外发布。
该国产PCIe固态硬盘主控芯片业务负责人向记者透露：“公司为此PCIe（NVME）的固态硬盘主控芯片的研发投入100多名工程师，3名博士，历经20多个月精心打磨，目前测试情况显示该固态硬盘主控芯片各项指标均达到国际领先水平。
该国产主控合作伙伴评测原型板 主控的容量适配，也是一个市场的关注点，同样也是技术上的重点，得知该国产PCIe固态硬盘主控芯片目前已经完成256G、512G、1TB、2TB四种容量固件开发，4TB版本固件也将会推出。
性能上以1TB版本为例，顺序读写速度3375MB/s、2675MB/s，随机读写性能最高可到达687KIOPS、431KIOPS，而且还在不断的优化中，最终性能会更好。
当前SATA接口固态硬盘主控芯片，国内已经有厂商实现了大规模量产，技术实力已经可以与国际接轨，但在PCIe接口固态硬盘主控芯片领域，虽然有多个国内厂商陆续发布多款产品，但尚未形成规模商业应用案例，与国际同行的技术成熟度和可量产性尚存在较大差距。此次公司推出的PCIe接口固态硬盘主控芯片力争在2019年能够通过其高品质获得市场的青睐，获得一席之地，从而弥补国产PCIe主控芯片没有大规模量产的缺憾”。