相关媒体报道，我国自研PCIe(NVMe)固态硬盘主控芯片性能指标已获得实质性技术突破，从实测性能看已经超过国外同类PCIe主控性能指标，主控性能爆棚。据了解2019年1月美国CES展会期间，该国产PCIe固态硬盘主控芯片将随国际知名SSD品牌厂商同台展出，并正式对外发布。
在性能方面，PCIe(NVMe)固态硬盘主控芯片为1TB版本，连续读取性能3375MB/s，连续写入高达2675MB/s，随机读写性能最高可到达687KIOPS、431KIOPS，而且还在不断的优化中，最终性能会更好。
此外。该国产主控合作伙伴评测原型板 主控的容量适配，也是一个市场的关注点，同样也是技术上的重点，我爱存储网得知该国产PCIe固态硬盘主控芯片目前已经完成256G、512G、1TB、2TB四种容量固件开发，4TB版本固件也将会推出。
业界人士认为，目前国产SATA主控芯片已经有多家大规模量产。但在PCIE（NVME）上目前还有缺口。一旦该国产PCIE（NVME）主控芯片大规模量产，将会驱动国内相关产业链一起升级，形成”技术——产品——营销”的新体系，业界期待这颗中国芯能早日量产， 进入产业链，为市场和消费者带来更丰富的高性能选择！