近日，昆明高新区贵研铂业股份有限公司的云南省贵金属材料重点实验室研发团队在主任胡昌义带领下，开展电子信息产业用稀贵金属溅射靶材的关键制备技术及工程化应用研究，成功制备NiPt、CoCrPtB等靶材和Ru、CoCrPt-SiO2靶。研发成果申请专利25件，授权11件，制定行业标准1项，发表论文66篇，荣获2018年中国有色金属工业科技进步一等奖。
稀贵金属薄膜是电子信息产业起核心支撑作用的战略性材料。溅射靶材是制备薄膜的关键源材料，高端稀贵金属靶材的制备主要集中在日本、美国、德国等国家。
（高纯贵金属NiPt靶材及靶材生产制备）
针对这一现状，实验室团队采用熔炼及塑性加工法制备了NiPt、CoCrPtB等靶材，采用粉末冶金法制备了Ru及CoCrPt-SiO2靶。开发了NiPt靶微组织择优取向控制技术、高纯Ru靶批量制备技术、脆性靶材的成分控制及缺陷控制技术、含氧化物靶材的相界面结合控制技术。通过新技术的攻关和应用，实现了靶材产品的主要性能指标靶材纯度?99.995wt%、靶材主成分偏差0.5wt%以内、靶材密度98.5%、靶材与背板焊合率98.5％。研发成果打破了国外垄断，使同类产品实现了替代进口，并出口至美国著名半导体公司。
（经发局 供稿）