居高不下的制造成本令Micro LED迟迟无法商用化，原因在于关键的巨量转移技术瓶颈仍待突破。LEDinside指出，预计2018年“类Micro LED”显示与投影模块产品将率先问世，待巨量转移制程稳定后再朝向Micro LED规格产品迈进。
目前全球厂商积极布局转移制程，但考虑每小时产出量(UPH)、良率及晶粒大小(<100µm)尚无法达到商品化的水平，厂家纷纷寻求晶粒大小约150µm的“类Micro LED”解决方案。
LEDinside研究副理杨富宝表示，Micro LED制程目前面临相当多的技术挑战，在四大关键技术中，转移技术是最困难的关键制程，必须突破的瓶颈包括设备的精密度、转移良率、转移时间、制程技术、检测方式、可重工性及加工成本。由于涉及的产业横跨LED、半导体、面板上下游供应链，举凡芯片、机台、材料、检测设备等都与过去的规格相异，使得技术门坎提高，而异业间的沟通整合也拉长研发时程。
LEDinside以工业制程六个标准差评估Micro LED量产可行性，转移制程良率须达到四个标准差等级，才有机会商品化，但加工及维修成本仍然很高。若要做出成熟的商品化产品，并达成具有竞争力的加工成本，其转移良率至少要达到五个标准差以上。
尽管巨量转移仍待技术突破，LEDinside指出，目前全球已有多家厂商投入转移技术的研发，如LuxVue、eLux、VueReal、X-Celeprint、法国研究机构CEA-Leti、Sony及冲电气工业(OKI);台湾则有镎创、工研院、Mikro Mesa及台积电。但厂商在选择转移技术时会依不同应用产品而定，并考虑设备投资、每小时产出量(UPH)及加工成本等因素，而各厂商的制程能力及良率控制，也是影响产品开发的关键。
以现有的发展状况看来，LEDinside认为室内显示屏、智能手表和智能手环将会是首先应用Micro LED的产品。由于转移技术的难度甚高，各应用产品所需求的像素多寡不同，投入的厂商多半先以既有的外延焊接设备(Wafer Bonding)来做研发，或选择像素数量较少的应用产品为目标，以缩短开发时间。也有厂商直接转向研发薄膜转移(Thin Film Transfer)技术，但因设备须另外设计及调整，必须投入更多资源与时间，可能产生更多制程问题。