安森美半导体在功率器件、IGBT、薄晶圆和封装技术方面有强大的知识产权阵容，在全球多地拥有IGBT制造设施，量产点火IGBT具有30年经验，600 V和1200 V沟槽场截止IGBT平台性能已通过分立产品和功率集成模块(PIM)系列证实。自2016年9月收购Fairchild，安森美半导体的IGBT产品阵容大为扩展，提供600 V、650 V、1200 V、1350 V、1500 V IGBT，采用TO-3P、TO-247、TO-247 4L、TO-220、TO-220 FullPak、D2PAK、DPAK等封装，用于汽车、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电磁炉、电焊机和电机控制等各种不同应用。
【版权声明】凡本站未注明来源为"中国科学网"的所有作品，均转载、编译或摘编自其它媒体，转载、编译或摘编的目的在于传递更多信息，并不代表本站及其子站赞同其观点和对其真实性负责。其他媒体、网站或个人转载使用时必须保留本站注明的文章来源，并自负法律责任。 中国科学网对文中陈述、观点判断保持中立,不对所包含内容的准确性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保证。
【特别提醒】如您不希望作品出现在本站，可联系我们要求撤下您的作品。邮箱 biz@minimouse.com.cn